講演情報

[C-3_C-4-36]光学利得の広帯域化に向けたInP基板上2 μm波長帯InGaAs/InGaAs多重幅量子井戸構造の検討

〇鄭 源宰1、進藤 隆彦1、杉山 弘樹2、下小園 真1、上田 悠太1、中島 史人1 (1. NTT株式会社 デバイスイノベーションセンタ、2. NTT株式会社 先端集積デバイス研究所)

キーワード:

ガスセンシング、歪量子井戸、波長可変レーザ、エピタキシャル成長、2 μm帯