2025年電子情報通信学会ソサイエティ大会
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15:45 〜 16:00
[C-3_C-4-36]
光学利得の広帯域化に向けたInP基板上2 μm波長帯InGaAs/InGaAs多重幅量子井戸構造の検討
〇鄭 源宰
1
、進藤 隆彦
1
、杉山 弘樹
2
、下小園 真
1
、上田 悠太
1
、中島 史人
1
(1. NTT株式会社 デバイスイノベーションセンタ、2. NTT株式会社 先端集積デバイス研究所)
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キーワード:
ガスセンシング、歪量子井戸、波長可変レーザ、エピタキシャル成長、2 μm帯
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