[C-3_C-4] 光エレクトロニクス／レーザ・量子エレクトロニクス

15:45 〜 16:00学術奨励賞候補対象

[C-3_C-4-36] 光学利得の広帯域化に向けたInP基板上2 μm波長帯InGaAs/InGaAs多重幅量子井戸構造の検討

◎鄭 源宰¹、進藤 隆彦¹、杉山 弘樹²、下小園 真¹、上田 悠太¹、中島 史人¹ (1. NTT株式会社　デバイスイノベーションセンタ、2. NTT株式会社　先端集積デバイス研究所)

キーワード：

ガスセンシング、歪量子井戸、波長可変レーザ、エピタキシャル成長、2 μm帯