[C-3_C-4] 光エレクトロニクス／レーザ・量子エレクトロニクス

11:45 〜 12:00

[C-3_C-4-49] OFDR法を用いたウェーハレベル光集積デバイス特性検査(3) ‐O帯及びC帯Si細線導波路の分布反射係数の線幅依存性-

〇堀川 剛¹、西山 伸彦^1,2 (1. 東京科学大学、2. 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所)

キーワード：

シリコンフォトニクス、光集積回路、導波路、光周波数領域反射測定、反射係数、伝搬損失