[C-3_C-4] 光エレクトロニクス／レーザ・量子エレクトロニクス

12:00 〜 12:15

[C-3_C-4-50] 小片接合技術を用いたInP系多層量子井戸/Si導波路集積p-i-n型マッハツェンダ変調器

〇糟谷 直孝^1,2,3、田中 肇^1,2,3、小松 憲人^1,2,3、三澤 太一²、井上 尚子^1,2,3、菊地 健彦^1,2,3、御手洗 拓矢^1,2,3、木村 峻^1,2、藤原 直樹^1,2,3、西山 伸彦^1,3、八木 英樹^1,2,3 (1. 技術研究組合光電子融合技術研究所、2. 住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所、3. 東京科学大学　工学院電気電子系)

キーワード：

マッハツェンダ変調器、InP/Si、Siフォトニクス、小片接合技術