2024年電子情報通信学会総合大会
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13:45 〜 14:00
[C-6-01]
室温成膜されたZrO
2
膜の特性評価
○武山 真弓
1,2
(1. 北見工業大学、2. 東京工業大学WOWアライアンス)
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キーワード:
LSI、抵抗変化メモリ、ZrO2膜、低温成膜、絶縁膜
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