セッション詳細

[C-2A]マイクロ波 A

2024年3月7日(木) 9:30 〜 12:15
工学部 1階 109(広島大学 東広島キャンパス)
座長:西川 健二郎(鹿児島大学)、松永 高治(湘南工科大学)

[C-2A-12]0.1μm GaAs pHEMTを使用したD帯電力増幅器MMIC

○伊東 正治1、相馬 達也1、和田 靖1 (1. 日本電気)

[C-2A-13]W帯カスコード型GaAs電力増幅器 2

○末松 英治1、原 信二1、作野 圭一1 (1. 名古屋大学)

[C-2A-14]テラヘルツ帯電力増幅器応用に向けたAlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの検討

○高橋 英匡1、牧迫 隆太郎1、安藤 裕二1、分島 彰男2、須田 淳1 (1. 名大、2. 名工大)

[C-2A-15]定在波制御ゲート構造によるfmax向上検討

○原 信二1、作野 圭一1、末松 英治1 (1. 名古屋大学)

[C-2A-16]水素終端ダイヤモンドFET の高周波特性の温度特性評価

○古市 朋之1、唐澤 風海人1、川島 宏幸2、若井 知子2、桝村 匡史3、山口 卓宏2、金子 純一3、梅沢 仁2、末松 憲治1 (1. 東北大学、2. 大熊ダイヤモンドデバイス株式会社、3. 北海道大学)

休憩時間

[C-2A-17]0.9-4.0 GHz帯リアクティブ整合型30 W級GaN MMIC高効率電力増幅器

○佐藤 弘隆1、神岡 純1、三輪 真一1、加茂 宣卓1、新庄 真太郎1 (1. 三菱電機株式会社)

[C-2A-18]Beyond 5G 向けW帯3 逓倍器方式GaN 送信モジュール用Ka 帯24W 級GaN MMIC 増幅器

○中谷 圭吾1、河村 由文1、鳥居 拓真1、山下 晋平1、平井 暁人1、山中 宏治1 (1. 三菱電機株式会社)

[C-2A-19]電荷再利用型トランジスタ制御機構を用いたGaN HEMTによるリーマンポンプ型RF-DAC

○淵辺 悠太1、坂田 修一1、小松崎 優治1、新庄 真太郎1 (1. 三菱電機株式会社)

[C-2A-20]2 入力GaN 増幅器のデジタル歪み補償の実験評価

○谷津田 臣呂1、矢野 綾乃1、松尾 理己人1、加保 貴奈1、坂田 修一2、小松崎 優治2、山中 宏治2 (1. 湘南工科大学、2. 三菱電機)

[C-2A-21]E級増幅器におけるFET寄生容量の補償方法に関する一考察

○高橋 律樹1、田中 愼一1,2 (1. 芝浦工業大学大学院、2. SIT国際グリーンエレクトロニクス研究センター)