[C-10] 電子デバイス

11:00 〜 11:15

[C-10-03] （依頼講演）GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価

〇井上 諒星¹、小嶋 智輝¹、間瀬 晃¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1. 名古屋工業大学)

キーワード：

HBT、MQW、2DHG、GaN、GaInN

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