[C-10] 電子デバイス

11:25 〜 11:40

[C-10-04] InP系MOS型HEMTを用いた300GHz帯サブハーモニックミキサの開発

〇中舍 安宏¹、尾崎 史郎¹、熊崎 祐介¹、岡本 直哉¹、芝 祥一¹、佐藤 優¹、原 直紀¹、多木 俊裕¹ (1. 富士通株式会社)

キーワード：

InP系MOS型HEMT、サブテラヘルツ、サブハーモニックミキサ

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