[C-3_C-4] 光エレクトロニクス／レーザ・量子エレクトロニクス

11:00 〜 11:15

[C-3_C-4-15] 面入射InGaAs-InAlAs MQW電界吸収型光変調器の基礎検討

〇新谷 悠人¹、梅沢 俊匡²、山本 直克²、赤羽 浩一²、川西 哲也^1,2 (1. 早稲田大学、2. 国立研究開発法人情報通信研究機構)

キーワード：

電界吸収型光変調器、量子閉じ込めシュタルク効果、面型デバイス、共振器構造

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