[16a-A12-1]シンチレーティングGlassGEMの炭素線に対する応答
○古場裕介1，藤原健2，松藤成弘1，高橋浩之2(放医研1，東大2)
2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
2013年9月16日〜9月20日同志社大学京田辺キャンパス
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2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
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[16a-A12-2]プルトニウム定量評価のための超ウラン元素LX 線スペクトルの解析
○前田亮1，前畑京介1，伊豫本直子1，石橋健二1，高崎浩司2，中村圭佑2，青木克憲2，満田和久3，田中啓一4(九大院・工1，原子力機構2，JAXA 宇宙研3，日立ﾊｲﾃｸｻｲｴﾝｽ4)
[16a-A12-3]プロトンマイクロビーム加工による微細構造を有する蛍光板の開発
○酒井卓郎1，安田良1，飯倉寛1，野島健大1，江夏昌志2，佐藤隆博2，石井保行2，大島明博3(原子力機構量子ビーム1，原子力機構高崎研2，大阪大産研3)
[16a-A12-4]3分割シンチレータを用いたホットスポット検出器の試作
○白川芳幸1，石川剛弘1，内堀幸夫1，小林進悟1，山野俊也2，原雅樹2，吉田典央2，吉田信司2(放医研1，日立アロカ2)
[16a-A12-5]TES型マイクロカロリーメータの電気的・熱的特性の測定
○安部英惠，伊豫本直子，前畑京介，前田亮，江崎翔平，高野彬，川上久雄，善本翔大(九大院工)
[16a-A12-6]マッシュルーム型吸収体TES型マイクロカロリメータのX線応答
○江崎翔平1，前田亮1，伊豫本直子1，前畑京介1，原徹2，満田和久3，山崎典子3，田中啓一4，山中良浩5，伊藤琢司5(九大院工1，NIMS2，JAXA3，日立ハイテクサイエンス4，大陽日酸5)
[16a-A12-7]「放射線分科内招待講演」（15分）多段コンパレータ搭載CdTeピクセル検出器プロトタイプ開発
○豊川秀訓1，広野等子1，川瀬守弘1，呉樹奎1，佐藤眞直1，梶原堅太郎1，宮澤知孝1，末永敦士2，池田博一3(JASRI/SPring-81，豊和産業2，ISAS/JAXA3)
[16a-A12-8]モンテカルロ計算に基づくヘリカル型核融合実験装置の中性子モニタリングシステムの検討
○仲野裕次1，渡辺賢一1，山﨑淳1，瓜谷章1，磯部光孝2，小川国大2(名大工1，核融合研2)
[16a-A12-9]Blood Activity Measurement Using 4 Modules High Resolution PET Tomograph
○（D）Azhar Huusan Malik，Kenji Shimazoe，Hiroyuki Takahashi(The University of Tokyo1)
[16a-A12-10]小片状LiCaAlF6シンチレータ分散樹脂を用いた中性子検出器の開発
○（M1）杉本大1，渡辺賢一1，山﨑淳1，瓜谷章1，福田健太郎2，石津澄人2，河口範明2，藤本裕3，柳田健之3，吉川彰4(名大工1，トクヤマ2，九工大3，東北大4)
[16a-A13-1]コバルト微粒子を用いたグラフェン生成過程の原子レベルその場TEM観察
○田村孝弘，高井義造(阪大院工)
[16a-A13-2]金属酸化物における酸素の電子状態マッピング
○治田充貴1, 2，長井拓郎1，倉嶋敬次1，島川祐一2，倉田博基2，木本浩司1(物材研1，京大化研2)
[16a-A13-3]加速器技術を応用した透過型電子顕微鏡の開発研究
○東直1，古屋貴章2，舟橋義聖2，上野健治2，沢辺元明2，西脇みちる2，阪井寛志2，道園真一郎2，栗木雅夫3，山下了4，山本将博2，榎本收志2，神谷幸秀2(東大院1，高エネ研2，広大ADSM3，東大ICEPP4)
[16a-A13-4]境界電荷法および境界磁荷法を用いた磁界重畳型対物レンズの解析
市來康平，石神宙愛，稲垣亮祐，○村田英一，下山宏(名城大理工)
[16a-A13-5]TES型マイクロカロリーメーターによるＸ線スペクトル測定
○椎山謙一1，真崎裕次2，籐昇一3，前畑京介2，田中啓一4，安田和弘2，松村晶2(純真学園大保健医療1，九州大院工2，九大ＨＶＥＭ3，日立ハイテクノロジーズ4)
[16a-A13-6]走査電子顕微鏡におけるフォギング電子軌跡のシミュレーション
○（M1）細井創介，熊谷健太朗，小寺正敏(大阪工大)
[16a-A13-7]電子ビーム照射を受けた導電性基板上絶縁体薄膜の二次元電位分布測定
○（M1）熊谷健太朗，細井創介，大谷優，小寺正敏(大阪工業大)
[16a-A13-8]SEM-EBSD法によるGaN膜の結晶方位マッピング時におけるイオン液体用いたドリフト抑制方法の評価
○森田博文1，江川孝志1，二村和孝2(名工大1，日立ハイテク2)
[16a-A13-9]SEM-EBSD法によるGaN膜の結晶方位マッピング時におけるFIBとカーボンデポを用いたドリフト抑制方法の評価
○森田博文1，江川孝志1，廣田秀樹2，二村和孝2(名工大1，日立ハイテク2)
[16a-A13-10]セシウム含有自然起源試料のSIMS分析
○坂本哲夫1，大石乾詞1，長嶋悟2，川上勇3，奥村丈夫4(工学院大工1，トヤマ2，阿藤工務店3，日本中性子光学4)
[16a-A14-1]ブロードエリア半導体レーザの横モード間における反位相ダイナミクスの実験的観測
○荒幡真也，内田淳史(埼玉大)
[16a-A14-2]Penrose Unilluminable Room共振器の光線解析
○福嶋丈浩1，篠原晋2，砂田哲3，原山卓久4，坂口浩一郎1，徳田安紀1(岡山県立大情報工1，NTT CS研2，金沢大機械工3，東洋大機械工4)
[16a-A14-3]電気―光ハイブリット系のカオスダイナミクスに基づく秘匿通信方式
○久富将徳，佐々木和可緒(同志社大院理工1)
[16a-A14-4]光複雑系に基づく自己組織化ノードを用いたスマートグリッド技術
○南里宏人，坂東宏紀，佐々木和可緒(同志社大院理工1)
[16a-A14-5]青紫色半導体レーザにおけるモードホッピング現象の電流・温度相関性
○川澄正翔，佐々木和可緒(同志社大理工1)
[16a-A14-6]レーザプロジェクタ用RGBレーザダイオードの高周波重畳によるスペックルノイズ低減
○香野良文，佐々木和可緒(同志社大理工1)
[16a-A14-7]半導体レーザーカオスと高いバイアス電圧を用いた広帯域THz波の発生
○桑島史欣1，白尾拓也1，山下雄大1，谷正彦2，栗原一嘉3，山本晃司2，萩行正憲4，長島健4，岩澤宏5(福井工業大1，福井大遠赤セ2，福井大教育3，阪大レーザー研4，福井大名誉教授5)
[16a-A2-1]Bi系酸化物超伝導体の作製と結晶粒のアニーリング効果による評価
○中村峰大1，富岡成矢1，亀谷崇樹1，毛塚博史1，Chen Liliang2，真下茂2，有沢俊一3(東京工科大1，熊本大2，物質・材料研究機構3)
[16a-A2-2]シリカ砥粒を用いたα-Al2O3基板の化学機械研磨メカニズムの第一原理計算による検討
○尾澤伸樹，周康，會澤豪大，樋口祐次，久保百司(東北大1)
[16a-A2-3]ヴァイオリン演奏における調弦の音律と音色の関係－ ピタゴラス音律と平均律の比較 －
○松谷晃宏(東工大半導体MEMSプロセス技術センター1)
[16a-A3-1]DFOCによるICPMS-IT-LCSでの43Ca+制御
○鄭京勲，山元祐太，長谷川秀一(東大院工1)
[16a-A3-2]チタンターゲットの水中レーザーアブレーション反応場におけるレーザー散乱分光計測
○（M2）竹内将人1，佐々木浩一1，高田昇治2(北大1，名大2)
[16a-A3-3]コヒーレント白色光を用いた水蒸気差分吸収ライダーの開発
○染川智弘1，眞子直弘2，久世宏明2，藤田雅之1,3(レーザー総研1，千葉大CEReS2，阪大レーザー研3)
[16a-A3-4]車載型高精度CO2モニタリングライダー
○阿保真，柴田泰邦，長澤親生(首都大院シスデザ)
[16a-A3-5]4.6\mum帯差周波光源を用いた植物栽培時に発生するN2Oのその場測定
○登倉明雄1，遊部雅生1，圓佛晃次1，吉原利一2，橋田慎之介2，竹之内弘和1(NTTフォトニクス研究所1，電中研環境科学研究所2)
[16a-A8-1]ナノピラーZnO/Cu2O太陽電池の電気化学的形成
○高橋俊明1，太田貴之1，近藤美沙紀1，品川勉2，Thierry Pauporté3，伊﨑昌伸1(豊橋技科大1，大阪市工研2，仏国科研センター3)
[16a-A8-2]Zn(O,S)バッファ層形成条件最適化によるCu(In,Ga)Se2太陽電池の高効率化
○岡本哲人1，小牧弘典2，笹野順司1，仁木栄2，伊崎昌信1(豊橋技科大工1，産総研2)
[16a-A8-3]ZnO/c-Seヘテロ接合フォトダイオードの光電変換特性
○為村成亨，菊地健司，宮川和典，久保田節，大竹浩(NHK技研)
[16a-A8-4]量子ドット構造を用いた三角障壁フォトダイオードの光検出特性
○中村翔，大森雅登，Pavel Vitushinskiy，榊裕之(豊田工業大)
[16a-A8-5]GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答
○前北和晃1，丸山武男1，飯山宏一1，鈴木寿一2(金沢大1，北陸先端大2)
[16a-A8-6]コヒーレントレシーバの高感度化に向けたスポットサイズ変換器集積InP系導波路型受光素子
○井上尚子，八木英樹，増山竜二，菊池健彦，大西裕，勝山智和，米田昌博(住友電工)
[16a-A8-7]フォトダイオードの応答非直線性の波長依存特性 II
○田辺稔，雨宮邦招，沼田孝之，福田大治，座間達也(産総研 計測標準)
[16a-A8-8]高密度InGaAs量子ドット赤外線検出器の検出波長制御
○各務惣太1,2，五十嵐悠一1,2，渡邉克之2，白根昌之1,2，大河内俊介2，萬伸一1,2，荒川泰彦2,3(ＮＥＣスマエネ研1，東大ナノ量子機構2，東大生研3)
[16a-A8-9]Siドーピングによる量子ドット赤外線検出器の比検出能向上
○五十嵐悠一1,2，各務惣太1,2，渡邉克之2，白根昌之1,2，大河内俊介2，萬伸一1,2，荒川泰彦2,3(ＮＥＣスマエネ研1，東大ナノ量子機構2，東大生研3)
[16a-A8-10]8.0μｍInAsSbホトダイオードの特性改善
○田中章雅，須村大介，三嶋飛鳥，柳井崇秀(浜松ホトニクス)
[16a-B3-1]異なるガス流れ解法を用いたCZ-Si結晶成長におけるアルゴンガス流れおよび不純物輸送の予測
○劉しん，高冰，中野智，柿本浩一(九大応力研)
[16a-B3-2]異なる結合状態のカーボン・バッファ層を用いたSi基板上Ge薄膜成長
○伊藤友樹1，畠山真慈1，奥野颯2，鷲尾勝由1,2(東北大院工1，東北大工2)
[16a-B3-3]IR-FZ法によるPr添加Lu3Al5O12単結晶の育成
○綿打敏司1，芦沢ひとみ1，長尾雅則1，田中功1，黒澤俊介2,3，横田有為3，吉川彰2,3(山梨大院クリスタル研1，東北大金研2，東北大NICHe3)
[16a-B3-4]銅置換C12A7単結晶のFZ育成におけるランプ出力比による育成界面形状への影響
○柿澤浩太，長尾雅則，綿打敏司，田中功(山梨大院医工)
[16a-B3-5]マイクロ引き下げ法を用いたEu:SrI2バルク単結晶の育成と特性評価
○横田有為1，黒澤俊介1,2，西本けい2，鎌田圭1，吉川彰1,2(東北大NICHe1，東北大金研2)
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