[19a-A201-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[19a-A201-10] ひずみ印加有機単結晶トランジスタにおける静的・動的特性の評価

〇安部 深月¹、澤田 大輝¹、山下 侑^1,2,3、糟谷 直孝¹、渡邉 峻一郎¹、竹谷 純一^1,2,3 (1.東大院新領域、2.物材機構、3.JST CREST)

キーワード：

有機半導体,有機トランジスタ,格子歪み

有機薄膜トランジスタ（OTFT）では応答周波数がキャリア移動度に比例するため、高速性が要求される集積回路への有機半導体の応用には移動度の向上が必須である。有機半導体単結晶の電子輸送特性は格子ひずみ印加に対して巨大な応答性を示し、キャリア移動度が上昇することから、本研究では単結晶OTFTに対して1軸性ひずみを印加し、単結晶のひずみに伴うOTFTの静的・動的特性を評価した。