セッション詳細

[19a-A201-1~13]12.4 有機EL・トランジスタ

2023年9月19日(火) 9:00 〜 12:30
A201 (熊本城ホール)
南 豪(東大)、 李 成薫(東大)

[19a-A201-1]液晶性材料を用いた有機電気化学トランジスタのESR研究

〇(M1)岡部 沙代1、山口 世力1、塩川 凜人1、王 佳曦1、下位 幸弘1、丸本 一弘1,2 (1.筑波大数物、2.筑波大エネ物質科学セ)

[19a-A201-2]高急峻スイッチング有機単結晶TFTの低温デバイス特性と注入障壁の起源

〇(M1)土田 真嗣1、村田 啓人1、井上 悟1、長谷川 達生1 (1.東大院工)

[19a-A201-3]有機電界効果トランジスタの半導体-絶縁体界面修飾の移動度への影響

〇(M2)高田 幸志1、下谷 秀和1 (1.東北大学理)

[19a-A201-4]i-nホモ接合を用いた高分子ショットキーバリアダイオード

〇金田 高廣1、刑部 永祥1、山下 侑1,2,3、渡邉 峻一郎1、竹谷 純一1,2,3 (1.東大院新領域、2.物材機構、3.JST CREST)

[19a-A201-5]カーボン系材料で構成されたメタルフリー相補型回路

〇渡辺 和誉1、三浦 直樹2、田口 博章2、小松 武志2、荒武 淳2、牧田 龍幸3、田邉 正廣3、脇本 貴裕3、熊谷 翔平4、岡本 敏宏4,5、渡邉 峻一郎1、竹谷 純一1,5 (1.東大院新領域、2.NTT先端集積デバイス研、3.パイクリスタル株式会社、4.東工大物質理工、5.JST-CREST)

[19a-A201-6]有機4値論理回路の開発 (I):
積層型アンチ・アンバイポーラトランジスタ

〇早川 竜馬1、Panigrahi Debdatta1、若山 裕1 (1.物材機構)

[19a-A201-7]有機4値論理回路の開発 (II):並列型アンチ・アンバイポーラトランジスタ

〇高橋 海斗1,2、早川 竜馬1、金井 要2、若山 裕1,2 (1.物材機構、2.東理大)

[19a-A201-8]ボトムゲート・ボトムコンタクト型有機単結晶TFTにおけるゲート絶縁膜材料に依存したキャリア注入

〇(D)村田 啓人1、土田 真嗣1、井上 悟1、東野 寿樹2、長谷川 達生1 (1.東大院工、2.産総研)

[19a-A201-9]高効率高分子ショットキーダイオード

〇(DC)刑部 永祥1、山下 侑2、田嶋 陽子1、Barlow Stephen3、Marder Seth3、渡邉 峻一郎1、竹谷 純一1,2 (1.東大院新領域、2.物材機構、3.コロラド大ボルダー校)

[19a-A201-10]ひずみ印加有機単結晶トランジスタにおける静的・動的特性の評価

〇安部 深月1、澤田 大輝1、山下 侑1,2,3、糟谷 直孝1、渡邉 峻一郎1、竹谷 純一1,2,3 (1.東大院新領域、2.物材機構、3.JST CREST)

[19a-A201-11]導電性高分子積層による有機単結晶トランジスタの低接触抵抗化

〇(M1)守本 蒼生1、山下 侑1,2,3、澤田 大輝1、渡邉 峻一郎1、竹谷 純一1,2,3 (1.東大院新領域、2.物材機構、3.JST CREST)

[19a-A201-12]有機単結晶トランジスタの擬似参照電極動作とイオンセンサ応用

〇(M1)王 璞石1、山下 侑1,2,3、早川 遥海1、熊谷 翔平1、糟谷 直孝1、渡邉 峻一郎1、竹谷 純一1,2,3 (1.東大院新領域、2.物材機構、3.JST CREST)

[19a-A201-13]カーボンナノチューブ光検出器と有機回路を用いた超柔軟・高感度なフレキシブル光センサシート

〇川端 玲1,2、李 恒3、荒木 徹平1,2、秋山 実邦子1,2、高橋 典華3、酒井 大揮3、松﨑 勇斗3、山本 みな実3、高井 怜於3、青嶋 祐斗3、松岡 望1,2、栗平 直子1、植村 隆文1、河野 行雄3,4、関谷 毅1,2 (1.阪大産研、2.阪大院工、3.中央大、4.情報研)