[19a-A201-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[19a-A201-11] 導電性高分子積層による有機単結晶トランジスタの低接触抵抗化

〇(M1)守本 蒼生¹、山下 侑^1,2,3、澤田 大輝¹、渡邉 峻一郎¹、竹谷 純一^1,2,3 (1.東大院新領域、2.物材機構、3.JST CREST)

キーワード：

有機電界効果トランジスタ,接触抵抗,中間層

有機電界効果トランジスタ(OFET)の応用には安定かつ量産可能な手法により接触抵抗を低減することが必須である。本研究ではOFETの電極-半導体界面にアモルファスポリマーであるPTAAを高密度にドープしinterlayerとして積層する電極構造を検証した。電極にCuを用いたOFETでは移動度が1桁以上向上し、仕事関数の小さな金属種での適切なデバイス動作を実現した。また電極にAuを用いて理想的なOFET動作と数百Ω cmの接触抵抗を実現した。PTAAへのより高密度なドーピングによるさらなる接触抵抗低減が期待される。