[19a-A201-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

9:30 〜 9:45

[19a-A201-3] 有機電界効果トランジスタの半導体-絶縁体界面修飾の移動度への影響

〇(M2)高田 幸志¹、下谷 秀和¹ (1.東北大学理)

キーワード：

絶縁層修飾膜,有機FET,キャリアトラップ

本研究では構成元素の異なる材料を用いて絶縁層表面修飾を施した両極性有機FETを作製し、絶縁層修飾膜による移動度への影響を調べた。我々は電気陰性度の高い元素が直接電子をトラップする要因として働くものと考え、伝達特性の温度依存性から得たトラップ準位の状態密度をもとに議論を行う。