講演情報
[19a-A201-4]i-nホモ接合を用いた高分子ショットキーバリアダイオード
〇金田 高廣1、刑部 永祥1、山下 侑1,2,3、渡邉 峻一郎1、竹谷 純一1,2,3 (1.東大院新領域、2.物材機構、3.JST CREST)
キーワード：
半導体,高分子,ダイオード
高分子半導体による高周波用途に適用可能な整流ダイオードは開発途上であり、未だ高周波かつ数V程度の低電圧での動作は報告されていない。本研究では当研究室で開発された高分子半導体に対する高密度の化学ドーピング手法を用いることで、無機半導体で優れたデバイスを実現しているホモ接合を有するショットキーバリアダイオードを高分子半導体で作製した。