[19a-A202-1~9] 17.3 層状物質

9:00 〜 9:15

[19a-A202-1] 偏析ゲルマネン上へのGe薄膜の追加蒸着とアニールの効果

〇鈴木 誠也¹、寺澤 知潮¹、勝部 大樹²、矢野 雅大¹、津田 泰孝¹、柚原 淳司³、吉越 章隆¹、朝岡 秀人¹ (1.原子力機構、2.理研、3.名大院)

キーワード：

ゲルマネン,X線光電子分光,銀薄膜

Ag薄膜からのゲルマネン析出は加熱時間を長くしてもGe析出量が変化しないことが分かっている。これは、析出したGeが一旦Ag表面を埋め尽くすと、さらなるGe析出が阻害されることを示唆している。ゲルマネンの層数で自己組織的に安定することはメリットである一方、多層化が難しいことは制御性の課題と言える。そこで本研究では偏析ゲルマネン上へのGe薄膜を追加蒸着とアニールを行うことで多層化について検討した。