セッション詳細

[19a-A202-1~9]17.3 層状物質

2023年9月19日(火) 9:00 〜 11:30
A202 (熊本城ホール)
若林 整(東工大)

[19a-A202-1]偏析ゲルマネン上へのGe薄膜の追加蒸着とアニールの効果

〇鈴木 誠也1、寺澤 知潮1、勝部 大樹2、矢野 雅大1、津田 泰孝1、柚原 淳司3、吉越 章隆1、朝岡 秀人1 (1.原子力機構、2.理研、3.名大院)

[19a-A202-2]Ag薄膜上のゲルマネン合成プロセスのその場Raman散乱分光

〇寺澤 知潮1,2、鈴木 誠也1、勝部 大樹3、矢野 雅大1、津田 泰孝1、吉越 章隆1、朝岡 秀人1 (1.原子力機構、2.東大生研、3.理研)

[19a-A202-3]ブリッジマン法によるSドープBi2Se3結晶の育成と評価

〇(M1)竹蓋 颯馬1、横倉 聖也2、島田 敏宏2 (1.北大院総化、2.北大院工)

[19a-A202-4]Si 基板上の h-BN ナノシート合成に向けた下地基板及び CVD 条件の検討

〇(M1)岡本 朋大1、岡部 稔也1、渡辺 健太郎1,2 (1.信州大、2.信州大IFES)

[19a-A202-5]化学気相蒸着法によるエピタキシャルTaS2薄膜の作製

〇柳瀬 隆1、江橋 美羽1、島田 敏宏2 (1.東邦大理化、2.北大応化)

[19a-A202-6]簡易熱CVD法による二硫化タングステン膜の合成における硫化過程

〇関谷 和志2、北澤 竣大1、大橋 史隆1、Jha Himanshu1、久米 徹二1,2 (1.岐阜大工、2.岐阜大院自)

[19a-A202-7]GaAs(001)微傾斜基板のステップ構造がGaSe/In2Se3薄膜のエピタキシャル方位に与える影響

〇藤田 絢也1、小島 信晃1、大下 祥雄1 (1.豊田工大)

[19a-A202-8]MOCVD法によるウエハスケール単層MoS2の高配向エピタキシャル成長

〇佐久間 芳樹1、楊 旭1、小野 佑樹2、李 世勝1、廣戸 孝信1、奈良 純1、池沢 道男3、松本 貴士2 (1.物材機構、2.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ㈱、3.筑波大物理)

[19a-A202-9]二次元層状物質MXene創成に向けた高速MAX相合成装置の開発

西根 大祐1、沼田 僚介1、澤村 莉来1、下村 太郎1、山本 真人1、〇稲田 貢1 (1.関西大システム理工)