[19a-A202-1~9] 17.3 層状物質 | 2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会

詳細検索

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質

[19a-A202-1~9]17.3 層状物質

2023年9月19日(火) 9:00 〜 11:30

A202 (熊本城ホール)

若林整(東工大)

9:00 〜 9:15

[19a-A202-1]偏析ゲルマネン上へのGe薄膜の追加蒸着とアニールの効果

〇鈴木誠也¹、寺澤知潮¹、勝部大樹²、矢野雅大¹、津田泰孝¹、柚原淳司³、吉越章隆¹、朝岡秀人¹ (1.原子力機構、2.理研、3.名大院)

9:15 〜 9:30

[19a-A202-2]Ag薄膜上のゲルマネン合成プロセスのその場Raman散乱分光

〇寺澤知潮^1,2、鈴木誠也¹、勝部大樹³、矢野雅大¹、津田泰孝¹、吉越章隆¹、朝岡秀人¹ (1.原子力機構、2.東大生研、3.理研)

9:30 〜 9:45

[19a-A202-3]ブリッジマン法によるSドープBi₂Se₃結晶の育成と評価

〇(M1)竹蓋颯馬¹、横倉聖也²、島田敏宏² (1.北大院総化、2.北大院工)

9:45 〜 10:00

[19a-A202-4]Si 基板上の h-BN ナノシート合成に向けた下地基板及び CVD 条件の検討

〇(M1)岡本朋大¹、岡部稔也¹、渡辺健太郎^1,2 (1.信州大、2.信州大IFES)

10:15 〜 10:30

[19a-A202-5]化学気相蒸着法によるエピタキシャルTaS₂薄膜の作製

〇柳瀬隆¹、江橋美羽¹、島田敏宏² (1.東邦大理化、2.北大応化)

10:30 〜 10:45

[19a-A202-6]簡易熱CVD法による二硫化タングステン膜の合成における硫化過程

〇関谷和志²、北澤竣大¹、大橋史隆¹、Jha Himanshu¹、久米徹二^1,2 (1.岐阜大工、2.岐阜大院自)

10:45 〜 11:00

[19a-A202-7]GaAs(001)微傾斜基板のステップ構造がGaSe/In₂Se₃薄膜のエピタキシャル方位に与える影響

〇藤田絢也¹、小島信晃¹、大下祥雄¹ (1.豊田工大)

11:00 〜 11:15

[19a-A202-8]MOCVD法によるウエハスケール単層MoS₂の高配向エピタキシャル成長

〇佐久間芳樹¹、楊旭¹、小野佑樹²、李世勝¹、廣戸孝信¹、奈良純¹、池沢道男³、松本貴士² (1.物材機構、2.東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ㈱、3.筑波大物理)

11:15 〜 11:30

[19a-A202-9]二次元層状物質MXene創成に向けた高速MAX相合成装置の開発

西根大祐¹、沼田僚介¹、澤村莉来¹、下村太郎¹、山本真人¹、〇稲田貢¹ (1.関西大システム理工)

カテゴリ一覧へ戻る