講演情報
[19a-B201-9]超高濃度PドープCZ-Si結晶成長における特異な欠陥挙動に関する第一原理解析
〇末岡 浩治1、鳴嶋 康人2、古賀 孝太郎2、鳥越 和尚3、堀江 浩3、小野 敏昭3、野中 直哉3、宝来 正隆3 (1.岡山県立大情報工、2.SUMCO TECHXIV株式会社、3.株式会社SUMCO)
キーワード：
超高濃度PドープCZ-Si結晶成長,第一原理解析,欠陥挙動
本研究では，高濃度PドープSi結晶成長における欠陥形成メカニズムに関し，第一原理計算で知見を得ることを目的とする．計算により，[P] = 1E20/ccドーピングの場合，(1) 格子間Pi は融点で [Pi] = 1E17/ccで取り込まれ，1100℃付近で過飽和となる，(2) 置換Psは600℃付近で過飽和となる，(3) Ps4Vの形成エネルギーは負 (-0.81 eV) であり，平衡Ps4V濃度は600℃付近で 4E18/ccに増加することなどがわかった．発表ではこれらの計算結果を基に，Si結晶成長中の欠陥モデルを提案する．