[19a-D903-1~12] 13.9 化合物太陽電池

10:00 〜 10:15

[19a-D903-5] HVPE法を用いた超高速GaInP成長における自然超格子の評価

〇大島 隆治¹、庄司 靖¹、牧田 紀久夫¹、生方 映徳²、小関 修一²、菅谷 武芳¹ (1.産総研、2.大陽日酸)

キーワード：

太陽電池,III-V族化合物半導体,ハイドライド気相成長法

HVPE法はIII-V族多接合太陽電池の低コスト技術として注目されている。特にGaInPセルでは自然超格子によりセル特性に影響を与えるため、本発表ではHVPE法におけるGaInP結晶中の自然超格子の評価を行った。透過電子顕微鏡を用いた電子回折において、18 um/h時には明瞭な自然超格子の回折ピークが見られたが、超高速化した70, 118 um/hでは自然超格子の回折ピークがほぼ消失することが分かった。当日は室温PL測定、セル特性についても議論する予定である。