講演情報
[19a-D903-7]常温接合を用いたⅢ-Ⅴ族化合物半導体基板接合の低抵抗化
〇西舘 優太1、久恒 圭人1、内田 和樹1、山田 省吾1、赤羽 浩一2、内田 史朗1 (1.千葉工大、2.情報通信研究機構)
キーワード：
常温接合
常温接合法とは格子定数等の異なる材料を常温で接合出来る技術である。本研究ではこの技術を用いて、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体基板を接合時の高速電子ビーム (FAB: Fast Atom Beam) 照射条件を系統的に変更して接合した。印加電圧の増加に伴い、接合サンプルの抵抗の低下が見られる一方で表面粗さの増大が見られたために接合自体が難しくなることが判明した。