講演情報
[19p-A302-4]多結晶In2O3:H薄膜トランジスタ特性の固相結晶化雰囲気依存性
〇曲 勇作1、ゲディア プラシャント1、張 雨橋2、松尾 保孝1、古田 守3、太田 裕道1 (1.北大電子研、2.江蘇大、3.高知工大)
キーワード：
酸化物半導体,酸化インジウム,薄膜トランジスタ
近年、次世代ディスプレイやLSI・メモリー向けに、多結晶Siトランジスタに匹敵する高移動度（µFE > 50 cm2V−1s−1）酸化物薄膜トランジスタ（TFT）の需要が高まっている。我々は、水素を含有するアモルファスIn2O3:H薄膜を低温（200 °C）で加熱することで結晶化させるとともに、粒径を著しく増大させ（異常粒成長）、高µFE（~100 cm2V−1s−1）TFTの作製に成功した。本研究では、In2O3:H薄膜の結晶化・異常粒成長時の固相結晶化（SPC）雰囲気が膜物性やデバイス特性に及ぼす影響について調べた結果、空気中でSPCを行った場合のみ良好なトランジスタ特性を示すことが明らかになったので報告する。