セッション詳細
[19p-A302-1~16]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2023年9月19日(火) 13:00 〜 17:15
A302 (熊本城ホール)
井手 啓介(東工大)、 曲 勇作(北海道大学)
[19p-A302-1]トップゲート型In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの光劣化メカニズム分析
〇武田 悠二郎1、高橋 崇典1、宮永 良子1、ベルムンド ファンパオロ1、浦岡 行治1 (1.奈良先端科学技術大学)
[19p-A302-3]HドープがIn2O3系アモルファス透明導電膜の柔軟性に与える影響
〇(M1)木菱 完太1、山寺 真理1、小林 翔1、鷹野 一朗1、相川 慎也1 (1.工学院大)
[19p-A302-4]多結晶In2O3:H薄膜トランジスタ特性の固相結晶化雰囲気依存性
〇曲 勇作1、ゲディア プラシャント1、張 雨橋2、松尾 保孝1、古田 守3、太田 裕道1 (1.北大電子研、2.江蘇大、3.高知工大)
[19p-A302-5]Negative Bias Stability Improvement of In2O3:H TFTs by Yttria Passivation
〇(PC)Prashant Ghediya1, Yusaku Magari1, Yuqiao Zhang2, Yasutaka Matsuo1, Hiromichi Ohta1 (1.RIES-Hokkaido Univ., 2.IQST-Jiangsu Univ.)
[19p-A302-6]水素添加多結晶酸化インジウム(poly-InOx:H)電気特性の成膜圧力および結晶化雰囲気依存性
〇曽根崎 悟1、古田 守1,2 (1.高知工大、2.高知工大 ナノ研)
[19p-A302-7]水素添加酸化インジウム(InOx:H)薄膜の高速熱処理結晶化
〇王 XIAOQIAN1、曲 勇作3、古田 守1,2 (1.高知工大、2.高知工大 ナノ研、3.北大)
[19p-A302-10]溶液プロセスで作製したLaドープIn2O3薄膜トランジスタのCO2ガス感度ドーパント濃度依存
〇(M1)小林 亮太1、野寺 歩夢1、相川 慎也1 (1.工学院大)
[19p-A302-15]SnO2及びSnO-SnO2ヘテロ接合ガスセンサを用いた半導体式CO2センサの陽子線耐性の検討
〇前田 拓人1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)
[19p-A302-16]CO2ガスセンシング特性に及ぼすInZnO TFTのZn濃度の影響
〇(M2)野寺 歩夢1、小林 亮太1、山寺 真理1、木菱 完太1、小林 翔1、相川 慎也1 (1.工学院大)