2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-A302-1~16]21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2023年9月19日(火) 13:00 〜 17:15
A302 (熊本城ホール)
井手 啓介(東工大)、 曲 勇作(北海道大学)
13:00 〜 13:15

[19p-A302-1]トップゲート型In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの光劣化メカニズム分析

〇武田 悠二郎1、高橋 崇典1、宮永 良子1、ベルムンド ファンパオロ1、浦岡 行治1 (1.奈良先端科学技術大学)
13:15 〜 13:30

[19p-A302-2]原子層堆積法を用いた結晶性In-Ga-Oの成膜と電気的特性

〇星川 輝1、高橋 崇典1、上沼 睦典1、河西 秀典1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大)
13:30 〜 13:45

[19p-A302-3]HドープがIn2O3系アモルファス透明導電膜の柔軟性に与える影響

〇(M1)木菱 完太1、山寺 真理1、小林 翔1、鷹野 一朗1、相川 慎也1 (1.工学院大)
13:45 〜 14:00

[19p-A302-4]多結晶In2O3:H薄膜トランジスタ特性の固相結晶化雰囲気依存性

〇曲 勇作1、ゲディア プラシャント1、張 雨橋2、松尾 保孝1、古田 守3、太田 裕道1 (1.北大電子研、2.江蘇大、3.高知工大)
14:00 〜 14:15英語発表

[19p-A302-5]Negative Bias Stability Improvement of In2O3:H TFTs by Yttria Passivation

〇(PC)Prashant Ghediya1, Yusaku Magari1, Yuqiao Zhang2, Yasutaka Matsuo1, Hiromichi Ohta1 (1.RIES-Hokkaido Univ., 2.IQST-Jiangsu Univ.)
14:15 〜 14:30

[19p-A302-6]水素添加多結晶酸化インジウム(poly-InOx:H)電気特性の成膜圧力および結晶化雰囲気依存性

〇曽根崎 悟1、古田 守1,2 (1.高知工大、2.高知工大　ナノ研)
14:30 〜 14:45

[19p-A302-7]水素添加酸化インジウム（InOx:H）薄膜の高速熱処理結晶化

〇王 XIAOQIAN1、曲 勇作3、古田 守1,2 (1.高知工大、2.高知工大 ナノ研、3.北大)
14:45 〜 15:00

[19p-A302-8]In2O3薄膜トランジスタのチャネル膜厚がキャリア伝導に及ぼす影響

〇川戸 勇人1、髙橋 崇典1、上沼 睦典1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大)
15:15 〜 15:30

[19p-A302-9]室温製作された B-doped In2O3TFT への O2 plasma 処理

〇山寺 真理1、木菱 完太1、野寺 歩夢1、相川 慎也1 (1.工学院大工)
15:30 〜 15:45

[19p-A302-10]溶液プロセスで作製したLaドープIn2O3薄膜トランジスタのCO2ガス感度ドーパント濃度依存

〇(M1)小林 亮太1、野寺 歩夢1、相川 慎也1 (1.工学院大)
15:45 〜 16:00

[19p-A302-11]石英基板上にミストCVD法を用いて成長したアモルファス酸化ガリウム薄膜

〇宇野 和行1 (1.和歌山大システム工)
16:00 〜 16:15

[19p-A302-12]非晶質、各結晶構造の酸化ガリウムの電気特性

〇(M2)須佐美 大夢1、安岡 龍哉1、刘 丽2、川原村 敏幸1,2 (1.高知工大　シス工、2.総研)
16:15 〜 16:30

[19p-A302-13]還元雰囲気中スパッタによるSnO2ターゲットからのSnO製作

〇(M1)小林 翔1、川口 拓真1、木菱 完太1、相川 慎也1 (1.工学院大)
16:30 〜 16:45

[19p-A302-14]Ar/N2混合ガス中スパッタリングで堆積した SnOx薄膜におけるバルク内N2の評価

〇(M2)川口 拓真1、小林 翔1、相川 慎也1 (1.工学院大工)
16:45 〜 17:00

[19p-A302-15]SnO2及びSnO-SnO2ヘテロ接合ガスセンサを用いた半導体式CO2センサの陽子線耐性の検討

〇前田 拓人1、杉山 睦1,2 (1.東理大　創域理工、2.東理大　総研)
17:00 〜 17:15

[19p-A302-16]CO2ガスセンシング特性に及ぼすInZnO TFTのZn濃度の影響

〇(M2)野寺 歩夢1、小林 亮太1、山寺 真理1、木菱 完太1、小林 翔1、相川 慎也1 (1.工学院大)
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