[19p-A302-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:45 〜 15:00

[19p-A302-8] In2O3薄膜トランジスタのチャネル膜厚がキャリア伝導に及ぼす影響

〇川戸 勇人¹、髙橋 崇典¹、上沼 睦典¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：

酸化物半導体,原子層堆積法,薄膜トランジスタ

一般に ALD 法で 成膜した In2O3 はキャリア密度が高いため、チャネル膜厚を減少させることにより Normally-OFF 動作が可能であるが、電界効果移動度の低下が確認されている。本研究グループは ALD 法を用 いた多結晶 In2O3 薄膜トランジスタ（TFT）を報告し、Normally-OFF かつ 10 nm のチャネル膜厚で も 42 cm2 /Vs の電界効果移動度を達成することを報告した。本研究では InOx チャネルを薄膜化しても電界効果移動度が保たれる要因を探索するためにIn2O3 チャネルにおける結晶性と膜厚の 関係に着目した。チャネル膜厚が異なる InOx チャネルの TFT 特性を評価することで、チャネルの薄膜化と結晶性の違いが電界効果移動度に及ぼす影響を評価した。