[19p-A306-1~16] 2.1 検出器デバイス開発

15:30 〜 15:45

[19p-A306-10] 高ドーズ中性子照射場における BGaN 検出器の放射線検出特性評価

〇(M1)櫻井 辰大¹、工藤 涼兵¹、川崎 晟也²、岸下 徹一³、櫻井 良憲⁴、八島 浩⁴、牧野 高紘⁵、大島 武⁵、本田 善央⁶、天野 浩⁶、井上 翼¹、青木 徹⁷、中野 貴之^1,7 (1.静岡大学、2.名大院工、3.高エネ研、4.京大複合研、5.量研、6.名大IMaSS、7.静大電研)

キーワード：

中性子,半導体,BGaN