結晶の積層欠陥の界面及び近傍の格子ひずみ場と、格子ひずみに感度を有するX線横滑り現象を利用し、結晶中のX線軌道を制御する新手法を開発した。この研究は、界面における非連続的な格子面間隔の跳びによって、X線横滑り現象が終結し、大きな偏向が起きるという、本研究で初めて明らかにされた現象を利用している。本研究が明らかにした知見は、従来のX線トポグラフィー測定結果の解釈にも影響を与える上、近未来の結晶を用いたX線光学素子開発にも有用と考えられる。