[19p-B101-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[19p-B101-10] AlGaN系UV-B波長レーザダイオードの深さ分解ナノビームX線回折

〇谷口 翔太¹、林 侑介¹、藤平 哲也¹、隅谷 和嗣²、今井 康彦²、木村 滋²、岩谷 素顕³、三宅 秀人⁴、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.JASRI、3.名城大、4.三重大院工)

キーワード：

窒化物半導体,AlGaN半導体レーザ

AlGaN系半導体レーザ（LD）は深紫外領域において、気体･固体レーザーに代わるコヒーレント光源として期待されている。本研究では、ナノパターン加工AlNテンプレート上に成長したUV-B波長AlGaN LD構造において、SPring-8のナノビームX線回折（nanoXRD）を用いて、結晶内部の3次元情報を抽出する深さ分解測定を行い、AlNナノパターン上AlGaN LDの3次元断層構造を明らかにした。