講演情報
[19p-B101-11]225 nm far-UVC LEDの高効率化に向けたn-AlGaN層の検討
〇桐原 大河1,2、鹿嶋 行雄1、矢口 裕之2、祝迫 恭3、平山 秀樹1 (1.理研、2.埼玉大院理工、3.日本タングステン)
キーワード：
深紫外LED,n-AlGaN層,225nm
本研究では，225nm UVC-LEDの高効率化に必要なn-AlGaNのAl混晶組成比に関して条件を調べたので報告する．Al組成の異なるn-AlGaN層の吸収端波長の測定の結果と低抵抗化を考慮して87%以上が必要と判断した．また，225nm LEDを用いてn-AlGaN層のAl組成を変えた試料でEL測定による評価を行った結果，90％の時では吸収が起こらず225nmのピークが得られたことが分かった．