講演情報

[19p-B101-11]225 nm far-UVC LEDの高効率化に向けたn-AlGaN層の検討

〇桐原 大河1,2、鹿嶋 行雄1、矢口 裕之2、祝迫 恭3、平山 秀樹1 (1.理研、2.埼玉大院理工、3.日本タングステン)

キーワード:

深紫外LED,n-AlGaN層,225nm

本研究では,225nm UVC-LEDの高効率化に必要なn-AlGaNのAl混晶組成比に関して条件を調べたので報告する.Al組成の異なるn-AlGaN層の吸収端波長の測定の結果と低抵抗化を考慮して87%以上が必要と判断した.また,225nm LEDを用いてn-AlGaN層のAl組成を変えた試料でEL測定による評価を行った結果,90%の時では吸収が起こらず225nmのピークが得られたことが分かった.