[19p-B101-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:45 〜 15:00

[19p-B101-5] p型側組成傾斜層を用いた230nm far-UVC AlGaN系LEDの高効率動作

〇前田 哲利¹、祝迫 恭²、平山 秀樹¹ (1.理研、2.日本タングステン)

キーワード：

AlGaN,発光ダイオード,Far-UVC