講演情報
[19p-D903-11]高感度紫外光電子分光で実測したギャップ内DOSを用いた絶縁性高分子の帯電シミュレーション
〇(B)星川 瑠菜1、山口 雄生2、久保 那緒斗2、吉澤 雅弘2、大原 正裕2、中澤 遼太郎2、石井 久夫1,2,3,4 (1.千葉大工、2.千葉大融合理工、3.千葉大先進、4.千葉大MCRC)
キーワード：
光電子分光,シミュレーション,帯電
絶縁体の摩擦帯電現象のメカニズムは解明されておらず、様々なモデルが提案されている。電子移動モデルでは、禁制帯に存在するギャップ内準位に電荷が移動することで帯電すると考えられている。本研究では、高感度紫外光電子分光を使用してギャップ内準位を測定し、M. Oehzeltらの静電モデルと組み合わせた帯電シミュレーションを行った。結果から、電子移動モデルを議論する上で十分な量のギャップ内準位が存在することを示した。