講演情報
[19p-P04-15]EDOT:PSS/n-Si接合を下部素子としたFACsPbI3モノリシック2接合太陽電池の作製
〇白井 肇1、石川 良1、鵜飼 隆一1 (1.埼玉大理工)
キーワード:
Si/ペロブスカイトモノリシック太陽電池
前回までにN型結晶(c-)Si(N-Si)/PEDOT:PSS接合素子を下部素子、SnO2/FA0CsPbI3/PTAA(TPFB)系薄膜太陽電池(PSC)を上部素子としたモノリシック2接合(タンデム)構造のための中間電極(ICL)部材としてIZO/MoO3積層構造が上部素子の窓層およびIZO/Au/MoO3積層構造が中間電極層として機能することを報告した。今回は窓層・中間電極層のIZO, FACsPbI3およびPEDOT:PSS膜厚に対する素子性能への影響について検討し、効率18%を得た。