講演情報
[20a-A201-7]OFDR法を用いたウェーハレベル光集積デバイス特性検査 ‐細線導波路伝搬損失の高精度評価‐
〇堀川 剛1、北村 敦2、八谷 将典2、西山 伸彦1,3,4 (1.東工大工、2.santec LIS (株)、3.東工大IIR、4.PETRA)
キーワード：
シリコンフォトニクス,Optical Frequency Domain Reflectometry,シリコン細線導波路
C帯シングルモードシリコン細線導波路の特性をOFDR法を用いてウェハレベルで評価した。伝搬損失及び群屈折率の測定ばらつきがそれぞれ2%以内、及び1%以内であった。300 mmウェハの面内73素子について計測を行い、伝搬損失の面内分布が安定に計測できることを確認した。