[20a-A310-1~10] CS.1 2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析、7.4 イオンビーム一般のコードシェアセッション

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[20a-A310-9] 高速クラスターイオンビーム照射による単層グラフェン膜から放出される二次電子エネルギーの入射粒子依存性

〇(M2)宇野 鳴記¹、間嶋 拓也¹、斉藤 学¹、土田 秀次¹ (1.京大院工)

キーワード：

クラスタービーム,二次電子,単層グラフェン

高速クラスターイオンビームは、特有の照射効果があり、物質分析への応用が期待されている。生成された二次電子のエネルギーを測定することは、エネルギー付与過程の解明のために繋がる。標的膜厚による問題を解決するために、単層グラフェン膜を使用した。発表では、誘電応答関数を用いて、入射粒子によるエネルギー移行の違いから、高速クラスターイオンビーム照射による二次電子エネルギー分布を解析した結果を示す。