講演情報
[20a-A311-5]ベイズ最適化による多結晶III-V族半導体薄膜の熱電性能向上
〇石山 隆光1,2、野沢 公暉1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院、2.学振特別研究員)
キーワード：
ベイズ最適化,薄膜,熱電変換
狭ギャップIII-V族化合物半導体は、室温付近の熱電薄膜材料として期待されている。しかし、多元系熱電材料の探索空間は広く、性能最適化には膨大な労力を要する。そこで本研究では、機械学習手法の一つであるベイズ最適化を利用した、Snドープ多結晶InGaAsSb薄膜の効率的な熱電性能向上プロセスを提案する。