セッション詳細

[20a-A311-1~8]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2023年9月20日(水) 9:30 〜 11:45
A311 (熊本城ホール)
權 晋寛(東大)、 山根 啓輔(豊橋技科大)

[20a-A311-1]InAs/GaAs(111)A赤外線検出器の特性評価

〇間野 高明1、大竹 晃浩1、川津 琢也1、宮崎 英樹1、佐久間 芳樹1 (1.NIMS)

[20a-A311-2]3.3ミクロン帯共振型LED構造のMOVPE成長と光学特性評価

〇荒井 昌和1、本部 好記1、前田 幸治1 (1.宮崎大工)

[20a-A311-3]MOVPE法で作製した格子整合InAs/GaAsSb超格子の中赤外領域における発光の励起強度依存性

〇前田 幸治1、藤澤 剛2、荒井 昌和1 (1.宮崎大学工、2.北大情報科学研)

[20a-A311-4]MOVPE法で作製したInAs基板上の歪補償InAsSb/InAsP超格子の中赤外発光

〇疋田 賢史郎1、本部 好記1、前田 幸治1、荒井 昌和1 (1.宮崎大工)

[20a-A311-5]ベイズ最適化による多結晶III-V族半導体薄膜の熱電性能向上

〇石山 隆光1,2、野沢 公暉1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院、2.学振特別研究員)

[20a-A311-6]微傾斜GaAs基板上にALE法を用いて成長方向と面内方向にN分布を制御したGaAsN薄膜の作製

〇平川 翔太1、河野 将大1、高木 俊作1、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大工)

[20a-A311-7]III-V/Si 集積に向けたSOI (001)基板上InP横方向MOVPE選択成長

〇本間 寛弥1、杉山 弘樹1、開 達郎1、瀬川 徹1、松尾 慎治1 (1.NTT)

[20a-A311-8]MOVPE選択成長法によるウルツ鉱型InP薄膜成長と評価

〇東 佑樹1、鄭 子ヨウ1、本久 順一1、冨岡 克広1 (1.北海道大)