セッション詳細
[20a-A311-1~8]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
2023年9月20日(水) 9:30 〜 11:45
A311 (熊本城ホール)
權 晋寛(東大)、 山根 啓輔(豊橋技科大)
[20a-A311-3]MOVPE法で作製した格子整合InAs/GaAsSb超格子の中赤外領域における発光の励起強度依存性
〇前田 幸治1、藤澤 剛2、荒井 昌和1 (1.宮崎大学工、2.北大情報科学研)
[20a-A311-4]MOVPE法で作製したInAs基板上の歪補償InAsSb/InAsP超格子の中赤外発光
〇疋田 賢史郎1、本部 好記1、前田 幸治1、荒井 昌和1 (1.宮崎大工)
[20a-A311-6]微傾斜GaAs基板上にALE法を用いて成長方向と面内方向にN分布を制御したGaAsN薄膜の作製
〇平川 翔太1、河野 将大1、高木 俊作1、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大工)
[20a-A311-7]III-V/Si 集積に向けたSOI (001)基板上InP横方向MOVPE選択成長
〇本間 寛弥1、杉山 弘樹1、開 達郎1、瀬川 徹1、松尾 慎治1 (1.NTT)