講演情報
[20a-B101-11][講演奨励賞受賞記念講演] バルクGaNの最高移動度の更新と室温移動度の特異な振る舞い
〇金木 奨太1、今野 泰一郎1、木村 健司1、鐘ヶ江 一孝2,3、須田 淳3,4、藤倉 序章1 (1.住友化学、2.京大院工、3.名大院工、4.名大未来研)
キーワード：
窒化ガリウム,ハイドライド気相成長法,Hall移動度
近年、HVPE法から石英部材を排除し、Quartz-free HVPE (QF-HVPE)とすることでGaN中のSi, O不純物を大幅に低減できることが示され、室温の最高移動度を1470 cm2/Vsに更新した。一方で、低温移動度についてはQF-HVPEで成長したGaNに関する報告は無い。本発表では、QF-HVPE法により成長したGaNバルク結晶に対して、Hall効果測定による移動度の温度特性評価を行い、これまでの低温移動度の最高値を大幅に更新する14300 cm2/Vsを観測したので報告する。