2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-B101-1~11]15.4 III-V族窒化物結晶

2023年9月20日(水) 9:00 〜 12:15
B101 (市民会館)
岡田 成仁(山口大)、 村上 尚(農工大)
9:00 〜 9:15

[20a-B101-1]Pore-assisted separation 法による GaN 自立基板の製作

〇横山 正史1、堀切 文正1、森 久1、今野 泰一郎1、藤倉 序章1 (1.住友化学株式会社)
9:15 〜 9:30

[20a-B101-2]HVPE･THVPEハイブリッド法によるGaN高温･高速成長

〇根本 幸太1、Xingxing Pan1、村上 尚2 (1.東京農工大院工、2.東京農工大院BASE)
9:30 〜 9:45

[20a-B101-3]Sn添加GaNのHVPE成長に向けた熱力学的検討

〇大西 一生1、濵﨑 乾輔2、藤元 直樹1、新田 州吾1、渡邉 浩崇1、本田 善央1,3,4、天野 浩1,3,4 (1.名大未来研、2.名大院工、3.名大Dセンター、4.名大IAR)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[20a-B101-4]高電子密度Sn添加GaNのHVPE成長

〇浜崎 乾輔1、大西 一生2、新田 州吾2、藤元 直樹2、渡邉 浩崇2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)
10:00 〜 10:15

[20a-B101-5]HVPE法による高抵抗ZnドープGaN結晶成長

〇尾谷 卓史1、磯 憲司1、大島 祐一2、池田 宏隆1、望月 多恵1、泉沢 悟1 (1.三菱ケミカル、2.物材機構)
10:15 〜 10:30

[20a-B101-6]AlNのHVPEホモエピタキシャル成長におけるV/III比の影響

〇坂野 秀将1、後藤 健1、山本 玲緒2、永島 徹2、Boćkowski Michał3,4、山田 敦史5、熊谷 義直1,3 (1.東京農工大院工、2.（株）トクヤマ、3.東京農工大IGIR、4.ポーランド科学アカデミー、5.富士通（株）)
10:45 〜 11:15

[20a-B101-7][分科内招待講演] OVPE法を用いたGaNのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用

〇宇佐美 茂佳1、東山 律子1、滝野 淳一2、太田 博3、渡邉 浩崇4、今西 正幸1、隅 智亮2、岡山 芳央2、三島 友義3、新田 州吾4、本田 善央4、吉村 政志5、秦 雅彦6、伊勢村 雅士7、天野 浩4、森 勇介1 (1.阪大院工、2.パナソニックホールディングス(株)、3.法政大学、4.名大未来研、5.阪大レーザー研、6.伊藤忠プラスチックス（株）、7.（株）創晶應心)
11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[20a-B101-8]OVPE-GaN成長における雰囲気加熱方式を用いた大ピット抑制

〇(M2)櫻井 悠貴1、宇佐美 茂佳1、今西 正幸1、隅 智亮2、滝野 淳一2、岡山 芳央2、丸山 美帆子1、吉村 政志3、秦 雅彦4、伊勢村 雅士5、森 勇介1 (1.阪大院工、2.パナソニックホールディングス (株)、3.阪大レーザー研、4.伊藤忠プラスチックス (株)、5.(株) 創晶應心)
11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[20a-B101-9]Naフラックス法におけるGaN結晶低転位化に向けたメルトバック表面上成長条件の検討

〇鷲田 将吾1、今西 正幸1、濱田 和真1、Tandryo Ricksen1、村上 航介1、宇佐美 茂佳1、丸山 美帆子1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)
11:45 〜 12:00

[20a-B101-10]Naフラックス法におけるFFC技術を用いた半極性(20-21)面GaN結晶の平坦化

〇北野 春来1、今西 正幸1、濱田 和真1、Tandryo Ricksen1、村上 航介1、宇佐美 茂佳1、丸山 美帆子1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)
12:00 〜 12:15

[20a-B101-11][講演奨励賞受賞記念講演] バルクGaNの最高移動度の更新と室温移動度の特異な振る舞い

〇金木 奨太1、今野 泰一郎1、木村 健司1、鐘ヶ江 一孝2,3、須田 淳3,4、藤倉 序章1 (1.住友化学、2.京大院工、3.名大院工、4.名大未来研)
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