[20a-C601-1~10] 13.9 化合物太陽電池

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[20a-C601-7] CIGS太陽電池のバルクおよび界面特性に対するAg添加の影響

〇阿部 鷹介¹、福田 遼太郎¹、西村 昂人¹、山田 明¹ (1.東工大工)

キーワード：

半導体,太陽電池,Cu(In,Ga)Se2

本講演では、AgをCu(In,Ga)Se₂ (CIGS) に添加することによるCIGSバルクおよび界面特性に与える影響について系統的に評価した結果について発表する。Ag 添加により、CIGS内部の欠陥密度の低下及びGa拡散促進に伴う空乏層内の禁制帯幅の増加が確認でき、開放電圧が20 mV向上した。一方、Ag添加により直列抵抗が増加し、SCAPSによる理論計算の結果、裏面側(Ag,Cu)(In,Ga)Se₂/Moコンタクト抵抗の増加がこの要因であることを明らかにした。