[20a-P02-1~25] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-P02-2] Ca₂RuO₄薄膜が示す電流誘起転移型の非線形伝導現象に対する基板エピタキシャル応力の影響

〇椿 啓司¹、福地 厚¹、有田 正志¹、片瀬 貴義²、神谷 利夫²、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報、2.東工大元素セ)

キーワード：

金属絶縁体転移,Ca2RuO4,モットメモリ

近年、金属絶縁体転移が示す非線形伝導特性の脳型演算素子等への応用を目指して、非線形伝導の精密制御が求められている。層状酸化物Ca₂RuO₄は温度だけでなく電流による転移が報告され、純電子的因子による精密制御が見込まれる。特に転移には結晶格子の変形が大きく影響するため、エピタキシャル応力による新たな特性制御法の開拓が期待される。本研究では様々な基板条件で薄膜を作製し、基板応力と非線形伝導の関係を詳しくした。