[20p-A201-1~16] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー注目講演

[20p-A201-5] 低挿入損失・不揮発性Ge₂Sb₂Te₃S₂強度変調器を用いた光行列演算

〇(D)宮武 悠人¹、唐 睿¹、牧野 孝太郎²、富永 淳二²、宮田 典幸²、岡野 誠²、トープラサートポン カシディット¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大院工、2.産総研)

キーワード：

シリコンフォトニクス,相変化材料,光集積回路

プログラミングの容易さと高い作製誤差耐性を両立する光回路として、最近我々は二層導波路を用いた新しい光行列演算回路を提案した。今回、新規に開発した相変化材料Ge2Sb2Te3S2（GSTS）を用いた強度変調器を提案回路に集積した行列演算回路を作製し、4×4の行列演算を行った。実験結果に基づいて畳み込みニューラルネットワークの推論計算をシミュレーションし、高い精度で推論が行えることを数値的に示した。