[20p-A301-1~18] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

16:30 〜 16:45

[20p-A301-11] 高ドープInAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴による赤外光吸収増強

〇川上 瑞人¹、原田 幸弘¹、朝日 重雄¹、喜多 隆¹ (1.神戸大院工)

キーワード：

局在表面プラズモン共鳴,量子ドット,電場増強