2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[20p-A301-1~18]13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

2023年9月20日(水) 13:00 〜 18:45
A301 (熊本城ホール)
中岡 俊裕(上智大)、 原田 幸弘(神戸大)、 太田 竜一(NTT)、 長谷川 尊之(大阪工大)、 平川 一彦(東大)
13:00 〜 13:45英語発表

[20p-A301-1][Fellow International 2023 Special Lecture] Using Quantum states in semiconductor heterostructures for Applications

〇Gerald Bastard1 (1.Ecole Normale Superieure)
13:45 〜 14:00英語発表

[20p-A301-2]Electron emperature in double well quantum cascade cooling structures (Ⅱ)

〇Xiangyu Zhu1, Gueric Etesse2, Chloe Salhani1, Marc Bescond1,2, Francesca Carosella3, Gerald Bastard3, Naomi Nagai1, Kazuhiko Hirakawa1 (1.IIS/LIMMS, UTokyo, 2.IM2NP-CNRS, AMU, 3.Ecole Normale Superieure)
14:00 〜 14:15英語発表

[20p-A301-3]Terahertz quantum cascade lasers towards room-temperature operation

〇WANG LI1, Ming-xi Chen1, Tsung-Tse Lin1, Ke Wang1, Hideki Hirayama1 (1.RIKEN)
14:15 〜 14:30英語発表

[20p-A301-4]Demonstration of vertical light-emitting diodes using wurtzite InP/AlInP core-multishell nanowires

〇ZIYE ZHENG1,2, Shun Kimura1,2, Junichi Motohisa1,2, Katsuhiro Tomioka1,2 (1.Hokkaido Univ, 2.RCIQE)
14:45 〜 15:00

[20p-A301-5]偏光顕微分光によるイオン交換ナノディスク超格子の光学応答の研究

〇山田 琢允1、田原 弘量2、猿山 雅亮1、寺西 利治1、金光 義彦1 (1.京大化研、2.京大白眉センター)
15:00 〜 15:15

[20p-A301-6]単一ハロゲン化鉛ペロブスカイトナノ粒子発光の外部電場制御

〇張 健一1、田原 弘量1,2、山田 琢允1、佐藤 良太1、猿山 雅亮1、寺西 利治1、金光 義彦1 (1.京大化研、2.京大白眉センター)
15:15 〜 15:30

[20p-A301-7]希薄窒化 GaNAs/GaAs 超格子バリアを用いた InAs 量子ドットへの電子スピン輸送

〇細江 真義1、佐藤 紫乃1、樋浦 諭志1、高山 純一1、村山 明宏1 (1.北大情報科学)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[20p-A301-8]厚さの異なる希薄窒化GaNAs量子井戸とトンネル結合したInAs量子ドットの光スピンダイナミクス

〇佐藤 紫乃1、細江 正義1、樋浦 諭志1、高山 純一1、村山 明宏1 (1.北大院情報科学)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[20p-A301-9]チャープパルスによる共振器付きInAs量子ドット集合体の超高速均一量子制御

〇高橋 雄士朗1,2、木下 裕太郎1,2、赤羽 浩一3、早瀬 潤子1,2 (1.慶大理工、2.慶大CSRN、3.NICT)
16:15 〜 16:30

[20p-A301-10]時間分解ハンル測定で観る面内核磁場形成における核四極子効果

〇鍜治 怜奈1、山本 壮太1、足立 智1 (1.北大院工)
16:30 〜 16:45

[20p-A301-11]高ドープInAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴による赤外光吸収増強

〇川上 瑞人1、原田 幸弘1、朝日 重雄1、喜多 隆1 (1.神戸大院工)
16:45 〜 17:00

[20p-A301-12]光励起過渡現象の共存を考慮した InP 基板におけるテラヘルツ波放射の解析

〇(M2)増田 快晴1、長谷川 尊之1、藤元 章1、原田 義之1、小山 政俊1、前元 利彦1 (1.大阪工大 ナノ材研)
17:00 〜 17:15

[20p-A301-13]GaAs/AlAs 多重量子井戸におけるテラヘルツ電磁波吸収に対する自由キャリアの効果

〇小島 磨1 (1.千葉工大工)
17:15 〜 17:30注目講演

[20p-A301-14]量子ポイントコンタクトを用いたGaAs2次元電子と単一テラヘルツ光共振器との超強結合状態の電気的観測

〇黒山 和幸1、權 晋寛2、荒川 泰彦2、平川 一彦1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構)
17:45 〜 18:00

[20p-A301-15]Si/CaF2 四重障壁共鳴トンネル構造を用いた抵抗変化メモリ素子の室温パルス応答特性

〇(M2)星野 麻衣子1、宇佐見 遼也1、村上 寛太1、渡辺 正裕1 (1.東工大工)
18:00 〜 18:15

[20p-A301-16]GaInN/GaN多重量子殻LEDにおけるプラズマ発光モニターを用いたCl2エッチングによる(0001)面の高抵抗化に関する検討

〇(M1)服部 祐汰1、稲葉 颯磨1、島 綾香1、伊井 詩織1、高橋 美月1、山中 優輝1、久保田 光星1、上山 智1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1 (1.名城大理)
18:15 〜 18:30

[20p-A301-17]熱処理による単層Janus MoSSeの作製と評価

〇遠藤 尚彦1、小川 朋也1、橋本 和樹1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、中西 勇介1、宮田 耕充1 (1.都立大理、2.物材機構)
18:30 〜 18:45

[20p-A301-18]SOI上InAs ナノワイヤ選択成長と縦型トランジスタの作製

〇竹田 有輝1、蒲生 浩憲1、本久 順一1、冨岡 克広1 (1.北海道大)
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