[20p-A304-1~8] イオントロニクスにおける酸化物・カルコゲナイトの新機能

15:00 〜 15:30

[20p-A304-5] 水素化強相関ニッケル酸化物を用いた電気伝導制御と抵抗変化デバイス適用

〇李 好博¹、田中 秀和¹ (1.阪大産研)

キーワード：

強相関酸化物,抵抗変調,イオン制御

本研究では、ペロブスカイト型希土類ReNiO₃ (Re = Nd, Sm, Eu)エピタキシャル薄膜を作成し、電気化学インピーダンス分光(EIS)法と光学顕微鏡による直視法を総合的に併せて、イオン伝導度を評価した。その上で、初めて水素化EuNiO₃を用いたStack形の原型メモリデバイスを設計・開発した。H_xEuNiO₃の速い水素拡散を利用することで、報告された酸素タイプのデバイスより抵抗変調速度は3桁ほど向上するた。さらなる発展としてエネルギーハーベスティングに向けて、水素化ニッケル酸化物の熱伝導特性についても紹介する。