[20p-A306-1~12] 17.2 グラフェン

15:45 〜 16:00

[20p-A306-11] GO/Cu構造の負性容量特性

〇(M1)安永 光¹、酒井 啓之¹、野田 将吾¹、孫 勇¹ (1.九工大工)

キーワード：

負性容量,酸化グラフェン

キャパシタやトランジスタの性能向上において、負性容量が注目されている。これまでは一部の強誘電体にのみ見られる現象であったが、今回、ナノ酸化グラフェン（GO）材料を電極で挟んだ構造において、GOと電極との間に間隙が存在する場合に負性容量が確認された。GO-電極間距離を変化させながら容量を測定し、その結果からトンネル電流が負性容量発生の一因であることが示唆された。