グラフェンのデバイスやシステムの性能は、グラフェンと金属の接合特性に依存する。低い抵抗と再現性のあるグラフェン-金属接合は、グラフェンエレクトロニクスの実現に必要である。これまで様々な接合形成技術と金属材料が開発されているが、接合抵抗にはバラツキがあり、確立された技術は存在しない。また、グラフェンのデバイス作製プロセスでは、金属基板からの転写や加工による残渣や汚染が高い接合抵抗の要因となるため、レジストフリーの工程が求められる。一つの応用技術として金属誘起結晶化現象があり、Ni/C二層膜を加熱することでグラフェン成長が可能である。この現象を利用したレジストフリーのデバイス作製プロセスの有用性が検討され、低い接合抵抗を実現できる可能性が示された。試料作製では、電子線リソグラフィを使用してNi/C薄膜をパターン化し、真空加熱によりグラフェン成長を行った。評価結果は当日報告される予定である。