グラフェン-SiC接合はショットキー接合を形成することが確認されている。しかし、エピタキシャルグラフェンとSiCの接合は未知な部分が多い。本研究では、原子間力顕微鏡(AFM)を用いてグラフェン/バッファ層/n型SiC接合の電気特性に関して検討を行った。測定の結果、整流性が観測され、順方向ではショットキー障壁高さは0.32eVであり、逆方向では約0.5V付近で急激に電流が流れることが分かった。