[20p-A309-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

16:00 〜 16:15

[20p-A309-12] PLD法における強相関強誘電体YbMnO₃ 薄膜成長過程のin-situモニタリング

〇市川 颯大¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.大阪公立大工)

キーワード：

強相関強誘電体,薄膜,PLD 法

h-YbMnO₃は、c軸方向に強誘電性、低温下でab面内方向に反強磁性を有するマルチフェロイックな強相関強誘電体として知られている。化学量論組成を有し、矩形性に優れたP-E特性を示すエピタキシャル薄膜の作製を目指し、パルスレーザー堆積 (PLD) PLD法における製膜中のプラズマプルームの状態を発光分光分析 (OES) によりin-situモニタリングを行っている。今回はレーザーの照射面積がプルームの発光強度や薄膜特性に及ぼす影響に関して検討した。