2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.1 強誘電体薄膜

[20p-A309-1~19]6.1 強誘電体薄膜

2023年9月20日(水) 13:00 〜 18:15
A309 (熊本城ホール)
吉村 武(大阪公立大)、 岡本 一輝(東工大)、 松尾 拓紀(熊本大)
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13:00 〜 13:15

[20p-A309-1]薄膜強誘電体の焦電効果の直接測定

〇宇佐美 潤1、山田 浩之1 (1.産総研)
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13:15 〜 13:30

[20p-A309-2]LiTaO3単結晶の非線形定数の計測

〇長 康雄1、中川 亮2、米田 年麿2、中尾 武志2、池浦 守2 (1.東北大未来科学、2.村田製作所)
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13:30 〜 13:45

[20p-A309-3]レーザー励起光電子顕微鏡を用いたHfO2系強誘電体の強誘電ドメイン及びその温度変化の観察

〇(D)糸矢 祐喜1、藤原 弘和2、Bareille Cédric3,4、辛 埴4,5、谷内 敏之3,4、小林 正治1,6 (1.東大生研、2.東大物性研、3.東大新領域、4.東大MIRC、5.東大特別教授室、6.東大 d. lab)
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13:45 〜 14:00

[20p-A309-4]機械的な引張歪みの存在下での分極反転に伴うHfO2薄膜の残留分極値の増大現象とその歪み解放後の緩和現象

〇井上 辰哉1、女屋 崇2、喜多 浩之1,2 (1.東大院工、2.東大院新領域)
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14:00 〜 14:15

[20p-A309-5]ALD法によりSi基板上に作製したHfO2薄膜の結晶構造

〇市川 龍斗1、内藤 圭吾1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大工)
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14:30 〜 14:45奨励賞エントリー英語発表

[20p-A309-6]Epitaxial Stabilization of Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 via Interfacial Reconstruction

〇Yufan Shen1, Mitsutaka Haruta1, Lin I-Ching1, Daisuke Kan1, Yuichi Shimakawa1 (1.Kyoto Univ. ICR)
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14:45 〜 15:00奨励賞エントリー英語発表注目講演

[20p-A309-7]Epitaxial Growth of PZT Thin Films on HfO2-Buffered Si Substrates via Spin-coating Technique

〇(D)Haining Li1, Takeshi Kijima1,2, Risa Kataoka1, Hiroyasu Yamahara1, Hitoshi Tabata1, Munetoshi Seki1 (1.Univ. of Tokyo, 2.Gaianixx Inc.)
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15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[20p-A309-8]強誘電体薄膜のドメイン構造制御に向けたSr(Zr,Ti)O3バッファ層の検討

〇(DC)石濱 圭佑1、岡本 一輝1、小寺 正徳2,3、森川 友秀1、清水 荘雄1,4、舟窪 浩1 (1.東工大物院工、2.東工大元素、3.産総研、4.物・材機構)
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15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[20p-A309-9]コンビナトリアルスパッタ法を用いて作製したSi基板上(100)BiFeO3エピタキシャル薄膜の結晶構造解析

〇高木 昂平1、Aphayvong Sengsavang1、藤村 紀文1、吉村 武1 (1.阪公大院工)
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15:30 〜 15:45奨励賞エントリー英語発表

[20p-A309-10]Electromechanical characteristics of epitaxial BiFeO3 thin film on Si substrate fabricated by combinatorial sputtering method

〇(D)Aphayvong Sengsavang1, Kohei Takaki1, Norifumi Fujimura1, Takeshi Yoshimura1 (1.Osaka Metro. Univ.)
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15:45 〜 16:00奨励賞エントリー英語発表

[20p-A309-11]Magnetic phase transition induced modulation of ferroelectric properties in hexagonal RFeO3 (R = Tb, Ho) system

〇Yaoming Liu1, Binjie Chen1, Yosuke Hamasaki2, Hiromichi Ohta3, Tsukasa Katayama3,4 (1.IST-Hokkaido U., 2.NDA, 3.RIES-Hokkaido U., 4.JST-PRESTO)
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16:00 〜 16:15

[20p-A309-12]PLD法における強相関強誘電体YbMnO3 薄膜成長過程のin-situモニタリング

〇市川 颯大1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大工)
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16:30 〜 16:45

[20p-A309-13]強誘電体薄膜の圧電特性向上に向けた下部電極層(Ba,Sr)RuO3の格子定数制御

〇(M1C)中條 凪1、川出 航平1、吉野 正人1、長崎 正雅1、山田 智明1,2 (1.名大工、2.東工大MDX)
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16:45 〜 17:00英語発表

[20p-A309-14]Domain architecture engineering of tensile-strained (PbxSr1-x)TiO3 thin films

〇Xueyou Yuan1, Yuto Ota1, Daichi Ichinose2, Takao Shimizu3, Kazuki Okamoto1,2, Yoshitaka Ehara4, Masahito Yoshino1, Takanori Nagasaki1, Hiroshi Funakubo2, Tomoaki Yamada1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Tokyo Tech., 3.NIMS, 4.NDA)
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17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[20p-A309-15](100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜における電界下での結晶構造評価

〇(M2)中畑 美紀1、岡本 一輝1、石濱 圭佑1、山田 智明2,3、舟窪 浩1 (1.東工大、2.名古屋大、3.東工大MDX元素セ)
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17:15 〜 17:30

[20p-A309-16]Pb(Zr,Ti)O3超格子薄膜の積層膜厚の影響

〇原田 絃暉1、田中 清高1、權 相曉1、神野 伊策1 (1.神戸大工)
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17:30 〜 17:45

[20p-A309-17]水溶性犠牲層を用いたCaF2(001)基板上シングルcドメインPb(Zr,Ti)O3膜の剥離・転写

高橋 和大1、吉野 正人1、長崎 正雅1、〇山田 智明1,2 (1.名大工、2.東工大MDX)
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17:45 〜 18:00

[20p-A309-18]PZT/PZT圧電マイクの開発と性能検証

〇(M1C)小野 綾太1、坂田 聡2、財頭 直希1、小林 牧子1 (1.熊大院、2.熊本県立技術短大)
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18:00 〜 18:15奨励賞エントリー

[20p-A309-19]Ce, Mn共置換ZnO薄膜の作製と強誘電性

〇小川 零1、田中 清高1、足立 秀明1、神野 伊策1 (1.神戸大工)
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