[20p-A310-1~12] CS.1 2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析、7.4 イオンビーム一般のコードシェアセッション

15:15 〜 15:30

[20p-A310-7] 反応性ガス吸着と O2-GCIB 照射を用いた金属エッチングの基板冷却効果

〇作田 昂大¹、竹内 雅耶¹、豊田 紀章¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：

ガスクラスターイオンビーム,反応性エッチング

ガスクラスターイオンビーム照射と反応性ガスの吸着により金属エッチングが可能であるが、これまでの研究では基板温度は室温で行っていた。そこで、基板を冷却または加熱することにより表面吸着や離脱反応を制御し、高い選択比や高アスペクト比のエッチングを期待している。講演では酢酸ガスとO₂-GCIBを用いたPt及びCoの温度依存性や、AFMやXPSを用いた表面状態の温度依存性について報告する。