[20p-A311-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

15:15 〜 15:30

[20p-A311-7] 希薄窒化物半導体量子ドットの作製と光学特性の評価

〇森田 彩乃¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：

希薄窒化物半導体,量子ドット,フォトルミネッセンス