セッション詳細
[20p-A311-1~8]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
2023年9月20日(水) 13:30 〜 15:45
A311 (熊本城ホール)
鈴木 秀俊(宮崎大)、 藤川 紗千恵(埼玉大)
[20p-A311-1]<111>A方位持つInPナノワイヤの自己触媒法配列成長
〇章 国強1,2、舘野 功太1,2、日比野 浩樹3、後藤 秀樹4、眞田 治樹1 (1.NTT物性研、2.NTTナノフォトセンタ、3.関西学院大、4.広島大)
[20p-A311-2]MBE法による通信帯域発光波長を有するGaAs/GaInNAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤのパターン基板上VLS成長
〇中間 海音1,2、行宗 詳規3、肥後 昭男4、石川 史太郎1,2 (1.北大情科院、2.北大量集セ、3.愛媛大工、4.東大d.lab)
[20p-A311-3]GaAsナノワイヤにおける窒素パッシベーションとアニール処理の光学特性への影響
〇橋本 英季1,2、峰久 恵輔1,2、中間 海音1,2、石川 史太郎1,2 (1.北大情科院、2.北大量集積セ)
[20p-A311-4]4inch GaAs基板上における高均一InAs量子ドットの成長
〇畠山 大輝1、成毛 環美1、西 研一1、大西 裕1、武政 敬三1 (1.株式会社QDレーザ)
[20p-A311-6]Co-doping手法によるInAs/GaAs量子ドットの高温PL特性の向上
〇角田 雅弘1,2、權 晋寛1、荒川 泰彦1 (1.東大ナノ量子、2.アイオーコア)
[20p-A311-8]AlGaAsバリアに埋め込まれた InGaAs量子ドットの 時間分解円偏光発光特性
〇野村 駿介1、樋浦 諭志1、高山 純一1、村山 明宏1 (1.北大院情報科学)