[20p-A311-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

15:30 〜 15:45

[20p-A311-8] AlGaAsバリアに埋め込まれた InGaAs量子ドットの 時間分解円偏光発光特性

〇野村 駿介¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：

半導体量子ドット,フォトルミネッセンス,分子線エピタキシー